3D NAND设置为占据SSD，终止传统闪光灯

根据一份新报告，预计明年将从明年开始占据固态驱动器（SSD）行业的固态驱动器（SSD）行业。

根据Dramexchange的最新预测，NAND闪存制造商正在努力将制造厂转换为3D NAND的努力，这比传统的2D NAND生产更加密集，更快，更便宜。

东芝将开始制造新的64层3D NAND闪存芯片，这些闪光芯片具有40％的潜在能力。

Dramexchange预测2D NAND Flash的市场供应将在第一季度开始急剧下降。到2017年第三季度，2D NAND在行业的总BIT出货量的份额将低于50％。

“自2016年第二季度以来，供应商加快了各自的3D NAND开发过程，”Draamexchange的研究主任Sean Yang在一份声明中表示。“到今年年底，3D NAND估计占总闪点出货量的30％。”

但是，NAND Flash行业的晶圆能力预计2017年的边际年度率增加了6％。这是因为随着行业范围的速度到3D NAND建筑加速，2D NAND记忆的供应将急剧下降，导致明年短缺，杨指出。

由于NAND Flash晶片的缺乏，Dramexchange预计明年价格上涨。与此同时，与2016年，SSD需求在2017年飙升至2016年的60％，即使许多闪存供应商也仍然批量生产3D NAND记忆，仍然达到速度。许多闪光制造商专注于下一代64层3D NAND。

微米的3D NAND芯片和Gumstick SSD的一个例子。

“直到业界一般来说，能够将64层3D NAND解决方案应用于[SSD]存储产品，3D NAND记忆的市场供应将保持紧张，”Dramexchange“报告说明。“与此同时，NAND闪存价格将继续上涨并促进供应商”收入“。

例如，Western Digital（WD）已经开始制造第三代NAND闪存芯片，这增加了48到64的层数，并将其允许其加倍。

新型64层芯片的试点生产已经开始于日本合资制造厂的WD“S Yokkaichi。预计今年第四季度的初始出货量将在2017年上半年开始“有意义的商业卷”。

2015年，Sandisk和Technology Partner Toshiba宣布他们使用BICS（比特 - 成本可扩展）技术制造了世界的第一个48层3D NAND产品。该BICS NAND闪存芯片提供256bit（32GB）容量和存储的3位/每小区（晶体管）。该技术的最新迭代称为BICS3。根据东芝，新的64层3D NAND Flash芯片通过之前的BICS2技术具有40％的潜在能力。

Sandisk和Toshiba去年宣布，它们是制造256Gbit（32GB），每小区3位（X3）48层，3D NAND闪存芯片，提供了两倍的下一个密度存储器的容量。他们叫他们的3D NAND技术BICS，短暂成本缩放。

Micron还规定，到今年年底，它将开始大规模生产64层，3D NAND闪存芯片。

总体而言，SSD市场将在明年的需求中享受飙升，占所有NAND闪存消费的40％，DraMedXchange的报告说明。

“因此，SSD将在2017年代表NAND Flash的最快增长的最终用途市场，”DramexChange说。

与此同时，智能手机出货量正在放缓 - 如片剂的出货量一样。因此，增加每个设备的内存容量的趋势已成为移动NAND闪存产品的主要驱动器与运输的SSD纯粹数量。

自128GB以来，NAND Flash SSD占iPhone 7出货量的最大份额，其他智能手机品牌还配备了其具有下顺时但高容量嵌入式多媒体（EMMC）的设备，或下一代通用闪存存储（UFS）内存，以便保持竞争力。

此外，据Dramexchange表示，2017年第四季度，全球运输的一半以上的笔记本电脑将携带SSD。在企业级SSD市场中，由于数据中心和服务器市场的强劲增长，需求持续上涨。