Micron船舶其第一3D NAND Flash的样品用于移动设备

Micron今天宣布它是将其第一个3D NAND闪存的样本发送到移动设备制造商，并表示新的嵌入式存储是行业的更密集和最高的表现。

新的Micron Mobile 3D NAND将在四个不同的32GB存储卡中发货，其中两个将使用最新的通用闪存存储（UFS）2.1标准。该标准在以前的微米移动闪存产品上提供33％的带宽。

另外两种产品将继续使用更传统的嵌入式嵌入式多媒体（EMMC）5.1接口。

新的3D NAND闪存卡将提供高达600 Mbps的顺序读数和每秒20,000个随机输入/输出（IOPS） - 以前的微米移动闪存产品的改进40％。

3D NAND闪存卡将专门针对中高端智能手机市场，Micron表示，占全球智能手机体积的约50％。

内存是Micron的第一款移动闪光灯，基于浮栅技术，它使用UFS 2.1，它说它提供比过去的固态驱动器更好的性能，质量和可靠性。

“浮动门闪光技术的好处是耐力和可靠性，”Micron的移动业务部门发言人Dan Bingham说。“”这是“LL有这个产品的销售点。这是一个非常可靠的产品，它是一种生产效果的成本效益。这为我们提供了一个很好的基础，为3D NAND构建，直到我们进入下一个版本。“

浮栅技术的微米“S 32层3D NAND闪存的描述。

与EMMC相比，基于UFS的内存设备现在正在成为移动市场中的更加主流界面。

Micron吹捧其移动闪存的能力，提供更畅销的超高清视频流，更高效的多任务处理和减少的功耗。

根据Bingham的说法，UFS接口的带宽比MODE 5.1规范更高33％。

“如果您查看市场，移动设备消耗了50％的内存位，因此从该角度来看，这对我们来说是一个非常战略的业务，”宾厄姆说。

三维NAND是根据今天的几乎所有闪光灯制造商制造，包括三星，东芝和微米开发合作伙伴英特尔。例如，今年早些时候，三星电子基于UFS 2.0标准，开始批量生产行业的第一个256GB嵌入式内存，为“下一代高端移动设备”。

二维或“平面”NAND闪光灯撞击抗密度壁，其不会让它进一步增加存储容量。

“这是我们进入移动的3D空间，但它不像我们谈论新技术，”Micron的移动业务营销副总裁Gino Skulick说。

Micron的3D NAND堆叠32个存储单元，以实现今天的NAND模具在256GB多级电池（MLC）和384GB三级电池（TLC）3D NAND中。

Micron的3D NAND用于移动设备产品线。

“这个NAND将是该行业中最小的，”宾厄姆说。“这是它可以放入一个较小的包装，释放空间和超小型因素，就像穿戴物品一样;这是一个很好的目标产品。你可以在一个非常小的空间里做得很多。

“我们会去64层[3d nand]？绝对，“宾厄姆继续。“那是我们召唤了Gen的东西。2，但我不知道我们尚未宣布那样的时间。“

新的移动3D NAND基于微米的S 8GB 3D NAND模具，其由32层的NAND闪存单元组成，如微观摩天大楼堆叠。模芯尺寸仅为2 3/8英寸（60.217mm）正方形。

Micron的3D NAND卡还包括公司的第一个低功耗LPDDR4 RAM; Micron索赔它比标准LPDDR4高达20％的功率效率，在写入期间使用1.1至1.2伏。

微米的新款3D NAND移动闪光芯片。

Micron表示，3D NAND筹码现在用移动设备制造商和芯片组合作伙伴进行了预期的资格，以预期的广泛供货情况。

“作为移动设备作为消费者旁路个人计算机”主要计算设备，用户行为严重影响设备的移动内存和存储要求“，”该公司表示。“Micron”移动3D NAND解决了这些问题，可以实现无与伦比的用户体验，包括无缝高清视频流，更高的带宽游戏，更快的启动次，相机性能和文件加载。“

2013年发布的UFS 2.0规范提供了一个多通道，串行总线，在当今EMMC闪存中使用的单线，并行总线。这意味着代替读取和写入的单个车道，数据可以同时在两个方向上移动 - 大大改善带宽。

UFS 2.0规范具有高达600Mbps的吞吐量，但由于它可以使用两个串行车道，因此它总共拥有1200Mbps或12Gbps。与EMMC 5.0规范相比，在单个并行总线上具有400Mbps的最大性能。

UFS 2.0甚至超过当前嵌入式多媒体