数据存储产品中的赛道内存可能几乎没有五年,并且将在较小的形状因子和数据访问时间内提供对当前硬盘级别的容量,而不是闪存的速度快100倍。
根据赛道记忆研究先驱斯图尔特帕丁,斯图尔特Parkin是2014年千年技术奖的实验物理学家,IBM同事和美国斯坦福大学研究中心主任,德国哈勒的最大普朗克研究所。
Parkin认为赛道记忆可能比预期的可能性瞬间到来,因为基于硅的存储介质,包括闪光,在其开发中达到了限制。
“闪光基本上是一种电容器,通过将电压施加到由晶体管切换的电压,”他说。“这导致细胞的细分,并意味着有限数量的读写以及巨大的开销,以确保存储器单元格没有写入太多次数。
“此外,难以将闪光缩放到更小的尺寸。它是一个电容器,为了获得更大的密度,您必须在单元格中放入更多费用,然后读写更难以读写。3D解决方案有很多开销。提升水平的数量不会像你所想到的那样的密度。“
Parkin的论点是,旋转磁盘和基于硅的存储诸如Flash的基本上是储存的2D方法,可以访问单层电池。
相比之下,赛道允许一个晶体管或接入点连接到在“纳米镜导线的森林”中保持的100位。
该技术基于使用磁力,通过将沿线沿线旋转到相对的杆来编码这些微小的线。此外,可以诱导数据以向上和向下移动电线并超过读/写头。
Parkin表示,材料存在,物理学是已知的 - 所以接下来需要的是,公司开始建造原型。
“我们现在正处于基于硅的技术,在道路结束时,公司需要投资,”他说。
“物理学在那里,概念有效,现在可以使用该工具。如果公司投资,那么五年是合理的时间范围。“
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