everspin船舶高密度MRAM在飞行中保护数据

埃尔斯本州今天宣布了它的运输样本的行业最致密的磁阻RAM（MRAM），可以取代标准的DRAM用于写入缓存操作，因为它比NAND闪存快10万倍。

everspin呼叫旋转扭矩MRAM（ST-MRAM）的非易失性存储器是公司的第三代MRAM，它旨在替换在服务器和存储阵列上的持久DRAM。

旋转扭矩只是一种通过使用微小的电压将数据位改变为零的数据位，反之亦然，以使它们向上或向右向上翻转或右侧，如传统MRAM所做的;它还提供更大的内存密度，并且功率低40％至50％。ST-MRAM在DDR3 / DDR4 DRAM内存接口上运行。

Everspin于2012年发货了第一个ST-MRAM芯片。该内存比NAND闪存快500倍，但仅持有64Mbit的数据。迄今为止，该公司已将超过6000万MRAM离散和嵌入式产品发货到数据中心，并在新闻稿中表示。

Everspin目前正在采样256Mbit芯片，但它还计划在今年晚些时候基于其专有的垂直磁隧道交界处发货1Gbit产品。

“Everspin”的MRAM已经证明了与DRAM相当的界面速度;新的256MB和1GB ST-MRAM产品将分别使用DDR3和DDR4接口继续这种表现，“该公司在其新闻发布中表示。

根据Everspin Ceo Phill Loplesti，ST-MRAM不旨在比NAND闪存更快，而不是旨在取代NAND Flash。非易失性存储器作为DRAM的替代，使用写入缓存操作，需要超级电容以确保电源熄灭时数据不会丢失。

ST-MRAM将能够更换写缓存，通常由少量的非常昂贵的高性能SRAM组成，少量NAND闪光灯和超级电容器，提供足够的功率以保持SRAM在线长度才能写入到非易失性的记忆。

从本质上讲，ST-MRAM将作为存储阵列或服务器中的存储的第一次存储，保护尚未存储在大容量存储设备上的数据，例如NAND闪存或硬盘。

“由于电源的不充分，MRAM立即在航班中确保数据在没有数据损坏的关注，以及NAND的较慢的写性能和其他持久记忆，”Everspin表示。