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本报讯(记者王昊昊)近日,国家第三代半导体技术创新中心(以下简称国创中心)在京召开第一届理事会第一次会议,标志着国创中心正式迈入实际运行阶段。
会议审议了国创中心《理事会章程》《建设运行方案》《2022年工作重点及目标》《第三代半导体跃升工程行动计划(建议稿)》,审议通过了第一届理事长、副理事长、理事,专家委员会主任、成员,国创中心主任人选。
国创中心由科技部批复同意建设,旨在瞄准国家战略需求,统筹全国优势力量,聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向,推进各类相关创新主体和创新要素有效协同,输出高质量科技创新成果,培育发展新动能,推动我国第三代半导体产业创新能力整体跃升。
国创中心已布局深圳、南京、苏州、湖南、山西、北京等6个区域中心,有效衔接政府支持和企业需求,联合行业龙头企业,协同全国50余家科研机构,初步形成了“核心+基地+网络”的创新格局。目前,国创中心已聚集第三代半导体领域多个院士团队、50余名行业领军人才,形成500多人规模的专职团队。
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