西方数字开始生产世界上最高的3D NAND'摩天大楼'

Western Digital Digital宣布它已启动行业的Densest 3D NAND闪存芯片，其在另一个堆叠64层，并使三位数据存储在每个单元中。

3D NAND闪存芯片基于Western Digital和Partner Toshiba呼叫BICS（位成本缩放）的垂直堆叠或3D技术。WD基于64层NAND闪存技术推出了其前512千兆（GB）3D NAND芯片的试验生产。

该行业的密度3D NAND闪存芯片基于Western Digital和Partner Toshiba呼叫BICS（位成本缩放）的垂直堆叠或3D技术。他们的最新内存存储了每个单元格的三位数据，并堆叠这些单元格64层。

以同样的方式允许在较小的占地面积中允许更大的密度，堆叠NAND闪存单元 - 与平面或2D记忆 - 培养公司增加密度，这使得每千兆字节的容量较低。该技术还提高了数据可靠性并提高了固态存储器的速度。

三维NAND允许制造商克服NAND闪光的物理限制，因为晶体管尺寸接近10纳米，并进一步迅速地散发它们的能力。

WD“S BICS3 3D NAND闪存堆叠64个NAND闪存单元上另一个。

最新的3D NAND芯片已被用于创建GUM Stick大小的SSD，其中超过3.3TB的存储和标准2.5英寸SSD，容量超过10TB。

三星成为第一家宣布它在2014年生产3D闪存芯片的公司。他们的技术称为V-NAND，最初堆叠了32层NAND闪光灯。三星的V-NAND在行业指的是三级单元（TLC）NAND或多级单元（MLC）NAND中也挤满了每种细胞3位。由于三星使用TLC内存，因此其芯片能够存储与东芝的原始48层3D NAND芯片一样多，其存储128Gbits或16GB。

英特尔和微米还生产3D NAND。

WD首先于2016年7月推出了世界上第64层3D NAND技术的初始能力。

即使是2D NAND由于光刻尺寸和误差速率导致的缩放限制，堆叠以产生3D NAND的层也会消除所有这些问题。所示的图片说明了实现3D NAND的一种方法。围绕中央记忆孔周围的水平堆叠字线提供堆叠的NAND位。这种配置放宽了光刻的要求。圆形孔最小化相邻的比特干扰，并且总密度大大增加。

WD的飞行员生产新的64层3D NAND Chips始于其Yokkaichi，日本制作厂，公司计划在2017年下半年开始批量生产。

“行业的推出是第一个512GB 64层3D NAND芯片是我们3D NAND技术进步的另一个重要步幅，从2016年7月推出世界上第64层架构时的密度加倍， “WD议员副总裁Siva Sivaram博士在一份声明中表示。