NRAM在记忆技术中传动一个“圣战”

根据BCC Research的一份新报告，预计基于碳纳米管的基于碳纳米管的商业化的碳纳米管（2018年用于商业化）的纳米管，预计将更加破坏企业存储，服务器和消费电子产品。

“很少见到一项技术在发展中发生了很长时间的技术，但Nram似乎很准备这样做，”BCC研究编辑总监Kevin Fitzgerald说。“事实上，你的下一个智能手机可能是一种基于碳的生命形态。”

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BCC报告预测整体纳米RAM（NRAM）市场将在2018年和2023年之间看到复合年增长率为62.5％，其中嵌入式系统市场预计将从2018年的470万美元增加到21760万美元2023。这将代表综合年增长率超过115.3％。

由Woburn，Mass.的Nantersero Inc.于2001年发明，NRAM被声称有1,000倍的DRAM性能，但存储NAND闪存等数据;关闭电源时，数据仍然存在。

NRAM芯片。

据Jim Handy，Medary Anginal Image Impications A分析主体分析师Jim Handy，根据预计的新内存技术，预计挑战NAND闪存的丰富的新记忆技术领域。

例如，铁电RAM（FRAM）已经在大容量上运输; IBM开发了赛道记忆;英特尔，IBM和Numonyx都具有所有产生的相变存储器（PCM）;自20世纪90年代以来，磁阻随机存取存储器（MRAM）已开发; Hewlett-Packard和Hynix一直在开发Reram，也称为Memristor;和英飞凌科技一直在开展导电桥栏（CBRAM）。

NRAM细胞（左）的图示和用电子纸张（右）的碳纳米管织物拍摄的照片。

“这些家伙参加了一场圣战比例，”BCC Research的高级编辑和报告共同作者Chris Spivey通过电子邮件表示。“这些记忆中的每一个都可以以许多不同的方式使用 - 因此它们将在董事会上竞争（最终）。因此，当战斗结束时，只有一个可能仍然存在。“

在发布的问答，Spivey表示，NRAM最激动人心的方面是从硅对碳的存储器的运动，“这可以明显地在传统的CMOS铸造件上无缝地进行，而且似乎在逻辑铸造厂。这是潜在的大规模定制时代的愿望。“

BCC研究同意，NRAM具有大规模定制的可能性，这意味着可以针对许多特定任务进行优化芯片。这将使诸如廉价，丰富的自主物联网传感器以及智能手机行业的内存，汽车嵌入式Asics甚至戴耳机，甚至戴耳机。

BCC Research表示，“直到现在，它已经过了历史悠久的高希望的历史。”“但是，本报告向公众提供了第一次实际芯片架构。加上2017年第一季度预期（提前）的许可公告，潮流将急剧转向。“

在过去的16年中，NRAM已经溅射，因为它试图抓住新的记忆技术。例如，早在2003年，行业的专家都预测它会挑战记忆市场。2005年，Nantero本身明显的NRAM作为明年将在生产中的“普遍记忆”;然而，记忆仍然在2009年的工程阶段。

BCC研究描述了NRAM的漫长途径作为“经典大卫与歌利亚冒险......现在大卫已经成功地招募了一个戈尔西亚哥斯林，富士通的帮助。”

NRAM市场通过内存应用程序类型。

（$百万美元）

8月，富士通半导体有限公司成为第一家宣布它是批量生产NRAM的制造商。

富士通计划在2018年底，使用DDR4接口开发自定义嵌入式存储类内存模块，其目标是将产品阵容扩展到富士通铸造厂的独立NRAM产品系列中，Mie Fujitsu Semiconductm Ltd 。;独立的内存模块将通过经销商销售，谁“LL重新连接。

使用DDR4规范界面，NRAM可以运动高达32亿数据转移每秒或2.4Gbps - 与NAND闪存一样快两倍。然而，当然，NRAM的读/写能力比Nantro的首席执行官Greg Schmergel Greg Schmergel更快，据说是千万倍。因此，瓶颈是计算机总线接口。

“纳米管交换机[状态]在皮秒 - 脱落和休息，”Schmergel在较早的计算机上采访时表示。PicoSecond是一亿二十万。

碳纳米管强烈 - 非常强。事实上，他们“re比钢更强的50倍，他们”只有1 / 50,000尺寸的人的头发。由于碳纳米管“强度，与NAND闪光相比，NRAM具有更大的写入耐久性。

最好的NAND闪存，具有纠错码，可以承受大约100,000个擦除写入周期。根据Nantero，NRAM可以承受1012写入周期和1015读周期 - 几乎无限的数字。

NRAM由碳纳米管的互锁织物矩阵组成，可以触摸或略微分开。每个NRAM“电池”或晶体管包括存在于两个金属电极之间的碳纳米管的网络。存储器采用与其他电阻非易失性RAM技术相同的方式。

不彼此接触的碳纳米管在高电阻状态下表示“关闭”或“0”状态。当碳纳米管彼此接触时，它们采用“开启”或“1”的低阻状态

“Nantro”技术与我们的设计和生产能力的组合有望满足客户对客户的长期需求，以实现更高的密度，更快，更节能，更高的重写周期，“Masato Matsumiya，副富士通半导体总裁在一份声明中表示。

NRAM具有创建内存的潜力，这些内存是更密集的NAND闪存，今天在Thumb驱动器和固态驱动器中使用。今天的密度NAND闪存过程近15纳米，这是指用于存储数据位的晶体管的大小。根据Schmergel的说法，NRAM可以达到5纳米以下的密度。

富士通计划使用55纳米（NM）工艺首先制造NRAM。此大小，初始内存模块只能存储兆字节的数据。然而，该公司还计划下一代40nm-Procest NRAM版本，Schmergel说。

（2015年，七种制造工厂开始有限地制造超级碳纳米管记忆。）

另一个大型优势NRAM在传统的NAND闪光上具有它的热量。它可以承受高达300摄氏度。Nanterro声称其内存可以在85年塞尔西乌斯持续数千年，并在300摄氏度测试10年。没有一点数据丢失了。

12月，南罗收到了额外的2100万美元的风险资金，使其总额为1.1亿美元，“我们的亨舍巩固了这项技术即将进入公开赛，”Fitzgerald在报告中表示。

一个碳纳米管的两个态的例证，一个碳纳米管触及另一个，在状态或管道触摸的状态下，产生低的重力，产生高阻“关闭”状态。

与Intel和开发合作伙伴Micron的最新公告不同，它使用PCIe / NVME主板接口的3D XPoint非易失性存储器，NRAM使用DDR4 DRAM接口。

Spivey说他有点惊讶，Nantero的内存最初将保持DRAM接口。

“这在我看来有点胆小。这意味着将有相当长的内存的不同类型的内存组合，并且当然是富士通的直接意图，“Spivey在电子邮件回复到Computerworld。

即便如此，BCC研究预计NRAM将迅速影响消费电子，移动计算，事物互联网，企业存储，防御，航空和汽车。其他人同意。

“这是一个非常少数技术人士，即在早期的声明中表示，在一位前进的洞察中，Gregory Wong将Gregory Wong迁移到大量制造中，”Gregory Wong。“NRAM”的高速和高耐久性的独特组合有可能在一系列消费和企业应用中实现创新产品。“