新GDDR6内存可能会在2018年达到GPU

虚拟现实和游戏正在改变PC的构建方式和推动GPU的新类型内存的开发。

根据本周Hot Chips会议的Samsung Execulit Jin Kim的介绍，在2018年，将在2018年推出大多数GPU中使用的GDDR5内存中使用的GDDR5内存。

GDDR6将是一种更快，更高效的图形内存形式。GDDR6将提供大约14Gbps（每秒比特）的吞吐量，改善10Gbps，GDDR5。

虽然三星为GDDR6瞄准了2018年，但新的图形记忆通常需要很长时间才能到达市场，因此估计可能是侵略性的。GPU需要设计用于新内存，并且需要验证和测试组件，所有这些都需要时间。

像VR和Gaming这样的应用在GPU上造成了沉重的负担，在压力下提供最佳图形。VR耳机如Oculus Rift和HTC的vive仅适用于Premium GPU。GDDR6将帮助GPU提供更快的性能，同时吸取更少的电源。

对更多GPU性能的需求已经改变了GPU。新型内存如HBM（高带宽存储器）和GDDR5X提供更快的带宽，已经在AMD和NVIDIA的新GPU中使用。

HBM和其他新内存的GPU仍然占据溢价。但GDDR6 - 像GDDR5一样 - 可用于低价GPU。它“LL也更容易转换从GDDR5到GDDR6或GDDR5X而不是HBM，它重新定义了内存子系统。

显然，三星将其重量放在GDDR6后面，而竞争对手微米正在支持GDDR5x。NVIDIA“的GeForce GTX1080 GPU具有GDDR5x内存。三星也支持HBM。

GPU也越来越迅速吞吐量，需要更快的内存。更快的内存可帮助GPU流程图形更快，然后可以通过更快速的互连，如nvidia“s nvlink或即将推出的PCI-Express 4.0，将图形发送到内存，CPU和存储器。

制造业的进步也创造了对新GPU内存的需求。基于NVIDIA的Pascal和AMD的Polaris架构的一些最新GPU是用新技术制造的，包括FinFET，其中堆叠的3D结构。

像HBM和GDDR6这样的新内存专为这些新芯片结构而设计，而GDDR5内存专为使用Don“T使用堆叠芯片的旧制造技术而制造的旧GPU。