Flash替代品石墨烯和记忆体取得进展

斯坦福大学科学家们在用单颗粒厚的纳米材料，石墨烯进行实验后发表了研究。

美国大学最近的三个实验表明，图形的容量比基于硅的内存更多，占地面积分数和功耗。

石墨烯最初是十年前孤立的，但到目前为止，哈茨利地少数实际应用。它是铅笔铅的纯化相对，当碳原子连接到片材厚的片材中时形成。石墨烯比钢强，导电是铜，具有可用于纳米级电子的热性能。

基于石墨烯的存储技术通过将电力施加到材料的速度来改变，以在导电和非导电状态之间切换。

斯坦福教授HS Philip Wong Asteric Pop领导了一批国际合作者，在自然通信，纳米字母和应用物理字母中单独描述了三个石墨烯的内存技术。

“石墨烯是本研究的明星，”Pop，三个内存项目中的两个贡献者表示。“通过这些新的存储技术，可以想到设计一个智能手机，可以使用较少的电池功率存储10倍的数据，而不是我们今天使用的内存。”

黄说：“数据存储已成为一个重要的大型电力消费者，以及新的固态内存技术，如这些，也可以改变云计算。”

与此同时，瑞士国家科学基金会的研究人员已经证明了基于材料的物料仅为5米厚，可以在三种状态变化之间切换，提供所谓的TosuperSedethe位。

提供三个稳定电阻状态的能力打开了在0到1之间的状态计算的可能性。

该项目的研究人员之一Jennifer Rupp表示：“这对被称为模糊逻辑的内容具有有趣的影响，这旨在将一种不确定性纳入数字信息的处理中。您可以将其描述为刚性计算。“

Memitristor的原理首先于1971年描述为电子电路的第四基本组件，以及电阻器，电容器和电感器。惠普和英特尔都从事Memristor Research。

这个消息在微米和英特尔3D xpoint的宣布上发表了热。它还提供了NAND​​闪光灯容量密度的10倍，但在速度和耐力方面有1000倍优势。涉及带3D XPoint的索赔产品将于2016年发货。

所有这三种技术都是在未来十年中取代NAND Flash的候选人，这是一个由克服维持耐用性和运营效率的困难而导致的转换，因为闪光缩小到更小的细胞尺寸。