“光刻”一中国企业曝光某关键技术研发进展 但外行人看热闹，内行人看门道 其实并不乐观？

今天，很高兴为大家分享来自市场资讯的一中国企业曝光某关键技术研发进展 但外行人看热闹，内行人看门道 其实并不乐观？，如果您对一中国企业曝光某关键技术研发进展 但外行人看热闹，内行人看门道 其实并不乐观？感兴趣，请往下看。

5G焦点

近日，一家名为大族激光的公司在接受机构调研时表示，目前，公司光刻机项目主要应用在分立器件领域，分辨率3-5μm；其中，接近式光刻机已投入市场，步进式光刻机已启动用户优化。一开始，这令不懂行的外界振奋，但懂行的业内人士仍然笑不起来，因为接近式光刻机是很老的技术。

中国企业勇于研发光刻机，这值得夸赞，只有研发光刻机的企业越来越多，中国光刻机的技术水平才会越来越高。而且，低端的光刻机也是大有市场的。

此次大族激光宣布的接近式光刻机，又称非接触式光刻。是一种使涂敷在从片上的光敏材料，经受穿过与其接近但不接触的光学掩模版的光福照曝光，从而复印出光学掩模版图形的方法。

其原理是：在接近式光刻 中，会连续复制整个硅片图形，掩模版不与光刻胶直接接触。它与光刻胶表面接近，在掩模版和硅片表面光刻胶之间大约有2.5~25微米的间距 。光源产生的是被准直的，光束彼此平行。

接近式光刻机出现的年代太早了。70年代初，美、日等西方国家分别研制出多种型号的接近式光刻机，为了适应我国大规模集成电路制造技术当前的发展需要，1978年，中科院半导体所开始研制JK-1型半自动接近式光刻机。

接近式光刻机之后是第三代的扫描投影式光刻机，在这种技术下光学曝光分辨率增强得到了突破，将光刻推向了深亚微米和百纳米级别。

第四代是步进式扫描投影光刻机，第五代是EUV光刻机，就是现在各国追求的尖端光刻机。

从第三代光刻机开始，我国光刻机技术就全面落后于欧美，这其中很大原因就是美国的技术封锁，比如国外工艺线已用0.5m的机器的时候，却只对我国出口1.5m的机器，整整差了三代。

此外，在80年代，巴统规定对我国出口的DSW光刻机，镜头NA必须小于0.17，即只能有2m以上的分辨率。

而如今，美国又想重演这一幕，想联合盟友对中国光刻机技术进行封杀，拖慢中国半导体产业的进程。但时代不一样了，中国的高科技研发能力已今非昔比。

荷兰光刻机巨头ASML曾嘲笑中国光刻机产业：“就是给全套图纸，中国人也造不出光刻机来。”历史会证明这是个笑话。

好了，关于一中国企业曝光某关键技术研发进展 但外行人看热闹，内行人看门道 其实并不乐观？就讲到这。