三星船舶世界上最高的SSD，15TB存储

三星电子星期三宣布它现在运送行业的最高容量固态驱动（SSD），15.36TB PM1633A。

三星透露它在去年8月开始在驱动器上工作，称它将使用与笔记本电脑相同的形式因素：2.5英寸，但驱动器高度为15mm。笔记本电脑SSD通常为9mm，高7mm或5mm（用于超薄的不键）。

2.5-IN SSD基于12Gbps串行连接的SCSI（SAS）接口，用于企业存储系统。PM1633A具有快速性能，可随机读取和写入速度高达200,000和32,000 I / O（IOPS）。该公司表示，它提供连续读写速度高达1200Mbps。典型的SATA SSD可以在大约550Mbps的峰值。

因为PM1633A有2.5英寸。形式因素，IT经理可以在标准19英寸中适用于许多驱动器的两倍。 2U（3.5英寸）架，相比等同的3.5英寸相比。存储驱动器。三星表示，SSD还为可持续发展设立了新栏。15.36TB PM1633A驱动器支持每天一个完整的驱动器写入，这意味着每天可以在单一的驱动器上写入15.36TB的数据，而不会在其五年保修期内进行故障。

基于平面MLC和TLC NAND闪光技术，SSD可以从两到10倍的数据写入典型的SATA SSD。

三星表示，它在PM1633A SSD阵容上投注“迅速成为”企业存储系统的硬盘的压倒性最受欢迎。

“为了满足来自领先企业存储系统制造商的超高容量SASD的市场需求，我们正在推动尽力努力满足客户”SSD要求“，Jung-Bae Lee，三星电子高级副总裁Jung-Bae Lee应用工程团队在一份声明中表示。PM1633A SSD的性能基于四个因素：3D NAND（垂直NAND或V-NAND）芯片; 16GB的DRAM;三星的专有控制器芯片;和12Gbps SAS接口。

该公司表示，随机读取的SAS型硬盘驱动器的性能约为1000倍，顺序读写速度超过典型SATA SSD的速度。

三星的组合512 SAMSUNGS 256Gbit V-NAND内存芯片使SSD在一个驱动器中的SSD上前所未有的数据存储容量。V-NAND或3D NAND是一种像微观摩天大楼一样地堆叠NAND细胞一个的方式。它不仅将标准平面NAND芯片的密度翻倍，从128gbits到256gbits，它也会增加性能。

三星最初宣布了去年8月的48层V-NAND，称其每种电池或多级单元（MLC）NAND技术也体育3比特。

三星的256Git，3D NAND芯片。三星开始批量生产业界的第一个256Gbit 3D垂直NAND（V-NAND）闪存芯片，基于去年的48层3位多级单元（MLC）阵列。

在V-NAND芯片中，每个电池利用相同的3D电荷陷阱闪光灯（CTF）结构，其中电池阵列垂直堆叠以形成48个存储的质量，其通过垂直冲压通过阵列的18亿沟道孔电连接使用特殊的蚀刻技术。总共，每个芯片含有超过85.3亿个细胞。它们每个都可以存储3位数据，从而导致2560亿比特数据 - 换句话说，芯片上的256GB比手指尖端大。

256GB管芯以16层堆叠，形成单个512GB封装，共15.36TB驱动器共有32个NAND闪存封装。利用三星的第三代，256千兆位（GB）V-NAND技术，该技术堆叠在48层中的细胞阵列，预计PM1633A阵容将比其前身PM1633更快且更可靠。该模型使用三星的第二代，32层，128GB V-NAND内存。

2014年，三星成为第一家公司以3位MLC架构宣布3D NAND闪存芯片的公司。2014年10月，该公司宣布批量生产32层V-NAND芯片。然后，去年8月，它随后的批量生产了48层V-NAND芯片。

虽然三星可能是第一个这样做的人，但它并不孤单地开发48层3D NAND芯片。去年，Sandisk和东芝宣布他们还准备制造256千比特，每胞间（X3）48层3D NAND闪存芯片，提供了先前密度最密集内存的两倍。

去年，Sandisk和Toshiba宣布他们正在制作256bit（32GB），每小区3位（X3）48层3D NAND闪存芯片，其提供了两倍的下一个密度存储器的容量。3D NAND技术被称为BICS，简短于比特成本缩放。

英特尔和Micron还宣布了3D NAND产品。两家公司介绍，他们的技术将使牙龈粘附的SSD能够超过3.5磅的储存（TB）和标准2.5英寸。 SSD大于10TB。

随着15.36TB的型号，三星将在7.68TB，3.84TB，1.92TB，960GB和480GB版本中提供PM1633a SSD。因为SSD是针对企业使用的，并且将被出售给推销商“LL确定零售价格，三星没有宣布其自身的驾驶定价。