英特尔SSD可能会获得速度，具有新的微米芯片的能力提升

英特尔的固态驱动器可能会达到容量和速度的大跳跃，新的3D闪光芯片来自微米。

Micron，它在英特尔SSD中闪现Flash，已经开始了其3D NAND闪存芯片的批量出货量。芯片可能导致SSDS的胶囊尺寸超过3.5TB的存储，以及具有大于10TB的容量的标准2.5英寸SSD。

SSD一直在推进能力和耐用性。FixStars上个月发货了13TB SSD，其价格为每千兆字节约1美元，或13,000美元。今年，Sandisk计划运送6TB和8TB SSD，而三星旨在释放4TB SSD。

英特尔以最大容量为4TB销售消费者SSD，而Micron的3D NAND芯片将可以达到三倍的容量。一些英特尔的企业SSD产品陈旧，升级为较升级。

英特尔在发布新的SSD时没有发表评论。销售SSD的Micron将在春季和夏季发布新的驱动器。

3D NAND Flash通过将储存芯片放在彼此顶部的储存芯片达到更高的密度。这是平面结构的前进，其中芯片彼此相邻地放置。新结构也提高了SSD的速度，因为存储单元彼此更靠近。

但是Micron在竞争对手三星和东芝，这几年前移动到3D NAND闪存结构，以提高存储容量并降低生产成本。Micron的实施方式不同，依赖于浮栅电池以提高驱动器的可靠性和容量。Micron的竞争对手使用充电陷阱技术，分析师表示可能会提供更长的电池寿命。

Micron声称其3D NAND芯片有三倍的竞争对手的密度“产品。这应该意味着SSD相同尺寸的容量的三倍，因此存储在昂贵的数据中心中的空间较少，或产生一个小型的修身设备。

它不是明确的，但Micron是否将使用这些3D NAND芯片进行XPoint，这是一个明显更快的存储和内存技术，即它用英特尔开发。他们声称xpoint比DRAM更致密的10倍，并生产SSD，比闪存存储更快，更耐用1000倍。英特尔计划在Optane品牌下发布基于XPoint的内存DIMM和SSD。

Micron表示，XPoint产品将于今年晚些时候来，但在技术上进一步评论。