东芝揭示了可以存储1TB的新型3D闪存芯片

东芝已经开始运输其第三代3D NAND闪存芯片技术的样品，堆叠64层闪存电池，并且比上一代技术更高的容量超过了65％，它使用了48层。

“这增加了每个硅晶片的存储器容量，并导致降低每位的成本，”东芝在一个陈述中说。

基于TOSHIBA调用BICS（比特成本缩放）的垂直堆叠或3D技术，公司NAND闪存存储每个晶体管的三位数据，这意味着它是一个多级单元（MLC）闪存芯片。它可以存储每个芯片的512gbits（64GB）。

其一部分的BICS闪存产品线，新芯片还每芯片存储3位数据，每个芯片存储512千兆位或64GB。东芝的第二代BICS闪存芯片持有256GB（32GB）的容量。

该公司表示，新技术将启用1TB芯片，该芯片将用于创建企业和消费者SSD。新的512GB芯片设备的大规模生产计划于2017年下半年。

BICS Flash开发路线图中的下一个里程碑将是行业的最高容量芯片，一个1TB产品，具有单个包装中的16芯堆叠架构 - 换句话说，16个64GB芯片中的16个。Tosbhia表示计划于4月开始以其1TB芯片的运输样本。

“通过堆叠模具，我们能够实现每个包装的更高密度。从一个行业的角度来看，一个16芯堆已经最多是优化收益率的优化原因，“公司内存业务部长的高级副总裁Scott Nelson”在Copterworld的电子邮件回复中表示。“我们公布的512GB BICS Flash非常重要，因为在16芯堆栈中，我们在单个芯片中使行业最大的容量能够。”

除了新的512GB芯片外，TOSHIBA的BICS闪存阵容还包括64层256GB（32千兆字节）提供，该产品已经批量生产。

基于东芝和合作伙伴WD开发的垂直堆叠或3D技术，最新的BICS（比特成本缩放）技术每扇区存储三位数据，并将这些单元格64层高。

东芝最近宣布，建筑在日本Mie Peocke的yokkaichi运营中开始了新的最先进的半导体制造工厂，Fab 6和一个新的记忆集中的研发中心。FAB 6将致力于生产公司的BICS闪存产品。

该公司在20世纪80年代初发明了NAND​​ Flash，上个月宣布它正在探索其内存业务，包括其3D Bics技术线。日经指数的亚洲审查报告称，东芝一直在考虑将其半导体运营旋转，并销售局部利率与西方数字（WD），“它试图应对其美国核电机组的大规模减值损失。”

东芝今天宣布仍未确定其内存业务的销售。

该公司告诉投资者，旨在帮助它进入“东芝内存公司”进入“东芝内存公司”进入“东芝内存公司”中的内存业务的旨在帮助它使用投资。

东芝和WD已经共同运营了记忆制造工厂，例如位于日本Yokkaichi的Fab 2植物。

“将内存业务分成单一的企业实体将在快速决策中提供更大的灵活性，并加强融资选项，这将导致内存业务的进一步增长，”今天在其宣布中表示。

日本Yokkaichi的东芝“S西部数字式”共同操作记忆制造厂的洁净室

根据新闻报道，Foxconn，Micron和SK Hynix是购买东芝的内存业务的招标之一。

当举动首次在1月份宣布时，东芝计划卖掉不到20％的内存业务“股份，以提高保持溶剂所需的现金。

然而，在今天的董事会会议上，根据亚洲审查，电子巨头表示可能批准超过50％的股权。

该报告称，它的金融困境随着美国美国核电业务的大规模额外减少的前景而急剧恶化。“

东芝和西部的数字是Fab 2 Nand Flash制造设施在日本Yokkaichi。

SK Hynix的首席执行官确实确认他的公司正在考虑在东芝内存业务中购买股份。

东芝的偿付能力和筹款能力目前是疑问，因为收取了119亿美元的会计丑闻和与核电站购买有关的巨大损失。

“它的财务问题是对内存业务增长的重大拖累，”Dramexchange的研究主任Sean Yang在与Computerworld的早期采访中表示。