富士通现在用1,000x性能提升制作DRAM杀手

Fujistu半导体有限公司已成为第一个宣布的制造商是批量生产的新RAM，拥有DRAM性能的1000倍，但存储像NAND闪存一样的数据。

新的非易失性记忆作为纳米RAM（NRAM）去年首次宣布，并基于碳纳米管技术。

富士通半导体计划在2018年底之前使用DDR4接口开发定制嵌入式存储类内存模块，其目标是将产品阵容扩展到富士通铸造厂的独立NRAM产品系列中，Mie Fujitsu半导体LTD。;独立的内存模块将通过经销商销售，谁“LL重新连接。

据Nantro介绍，该公司发明了NRAM，世界各地的七种制造工厂去年试验新记忆。其他尚未宣布的芯片制造商已经在幕后的生产。

富士通计划最初使用55纳米（NM）过程制造NRAM，这是指用于存储数据位的晶体管的大小。此大小，初始内存模块只能存储兆字节的数据。然而，该公司还计划下一代40nm-Procest NRAM版本，根据NanteroCeo Greg Schmergel的说法。

最初，NRAM产品可能会针对数据中心和服务器。但随着时间的推移，他们可以找到进入消费市场的方式 - 甚至进入移动设备。由于NAND闪光，因此在背景中使用了毫微微约会（1015的焦耳）的电力，并且在后台不需要数据清理操作，因此NRAM可以在待机模式下延长移动设备的电池寿命，施施默尔说。

富士通没有指定其初始NRAM产品是否将生产为DIMM（双线内存模块），但Schmergel表示，其他制造合作伙伴之一“肯定是在产品设计中进行DDR4兼容芯片。

“有几个其他[制造商]我们仍然与之合作，例如，一个专注于28nm的过程，并且是一个多千兆字节独立的存储产品，”施施默尔称，参考DIMM制造商。

目前，NRAM正在制作作为平面存储器产品，否则存储器单元在二维平面上水平布置。但是，正如NAND Flash Industry的那样，Nantero正在开发三维（3D）多层架构，这将大大提高内存的密度。

“我们被迫进入3D多层技术，也许比我们意识到的，因为客户想要那些更高的密度，”施施默尔说。“我们预计密度将从Fab到FAB所不同。其中大部分都会产生四到八层。我们可以做到这一点。纳米管技术不是限制因素。“

Curry，NRAM可以生产大约DRAM成本的一半，并补充说，具有更大的密度生产成本也将缩小 - 就像他们为NAND Flash行业一样。

“我的理解是，Nantero计划将NRAM带到市场上作为MCU和Asics的嵌入式内存，”吉姆方便，半导体研究公司客观分析主体分析师，在电子邮件回复到ComputerWorld时表示。“这是一个很好的策略，因为Flash流程无法与用于制作MCU和ASIC的逻辑进程保持速度。

“像NRAM这样的替代技术，然后掌握了MCU和ASIC市场后面进入高卷的机会，”很方便。“之后，它可能会挑战DRAM，但它会在其单位体积上升到靠近DRAM的数字之前，它会有一些麻烦。”

然而，如果易于达到比DRAM的价格，NRAM将遇到一个大机会，因此NRAM将遇到一个大机会，因为它可以达到比DRAM更低的价格。

由于它的密度增加，它潜在的数据越来越多地存储，他还可以有一天替代NAND Flash作为生产它的价格随着规模经济而导致的价格。

“我们”在未来几年里重点关注与DRAM相互竞争，其中成本不需要像NAND闪光一样低，“Schmergel说。

一个大的优势NRAM已经过传统的闪存是它的耐力。闪存只能维持有限数量的程序/擦除（P / E）循环 - 在内存开始失败之前，通常每闪存单元格如图5,000到8,000。最好的NAND Flash，具有纠错码和磨损级软件，可以承受大约100,000个P / E循环。

碳纳米管强烈 - 非常强。事实上，他们“re比钢更强的50倍，他们”只有1 / 50,000尺寸的人的头发。由于施密尔，由于碳纳米管“强度”，NRAM与NAND闪存相比具有更大的写入耐久性;根据Schmergel，它可以忍受的程序/擦除（P / E）循环几乎无限。

Schmergel说，NARROM已经通过NANTOO测试了1012个P / E循环和1015读周期。

2014年，东京上海大学的研究人员Tested Nantero“的NRAM测试了高达1011个P / E（程序/擦除）循环，代表超过十亿的写入周期。

碳纳米管的几何构建体。

“我们希望它有无限耐力，”施施默尔说。

另一个优点是使用DDR4规范界面正在建造NRAM，因此可以将每秒32亿数据转移或2,400 Mbps进行2,400 Mbps - 与NAND闪存一样快。然而，当然，NRAM的读/写能力比NAND Flash更快，Schmergel说，速度速度速度快，瓶颈是计算机总线接口。

施施加尔说：“纳米管交换机[状态]在皮秒中 - 脱落，然后脱落，”Schmergal说。PicoSecond是一亿二十万。

由于公司使用DDR4接口设计了内存，因此总线接口的速度将受到限制;因此，在技术规范表上，它只可能比DRAM更快的速度是1000倍。

另一个优点是NRAM对极端热量抵抗力。它可以承受高达300摄氏度。NANTERO声称其内存可以在85摄氏度持续数千年，并在300摄氏度测试10年。公司声称，没有一点数据丢失。

nram如何工作

碳纳米管从催化剂颗粒生长，最常见的铁。

NRAM由碳纳米管的互锁织物矩阵组成，可以触摸或略微分开。每个NRAM“电池”或晶体管由存在于两个金属电极之间的碳纳米管的网络构成。存储器采用与其他电阻非易失性RAM技术相同的方式。

不彼此接触的碳纳米管在高电阻状态下表示“关闭”或“0”状态。当碳纳米管彼此接触时，它们采用“开启”或“1”的低阻状态

根据新的回忆，NRAM根据方便的情况，反对预计挑战NAND速度，耐力和能力的丰富的新兴技术领域。

例如，铁电RAM（FRAM）发布大量; IBM开发了赛道记忆;英特尔，IBM和Numonyx都具有所有产生的相变存储器（PCM）;自20世纪90年代以来，磁阻随机存取存储器（MRAM）已开发; Hewlett-Packard和Hynix一直在开发Reram，也称为Memristor;和英飞凌科技一直在开发导电桥羊角（CBRAM）。

然而，另一个潜在的NRAM竞争对手可能是3D XPoint记忆，这将通过开发合作伙伴英特尔和微米发布今年。

Micron将在Quankx名称（和名称辛烷值下的英特尔）下市场上市，因为该技术主要是大容量存储级记忆，而速度较慢，比DRAM更便宜，而且比NAND大得多。

“我们”在DRAM速度下。“施默格尔说，我们具有更大的耐力。

“它应该优于3D xpoint，它磨损并具有比读循环更慢的写入，”Handy说。“如果这是真的，并且如果它的成本可以带到类似于DRAM的成本，那么它将被定位以更换DRAM。尽管如此，费用是大问题，因为它需要非常高的单位卷，以获得靠近DRAM的价格。

“这是一个鸡蛋和蛋问题：一旦卷足够高，成本将降低，如果成本与DRAM成本竞争，则体积会变高。“