IBM PCM Leap打开了新的企业存储层

IBM在相变内存（PCM）中取得了突破性，它说它将使其靠近闪存的成本，并允许它与闪存和DRAM一起使用，用于缓存，内存和速度数据库访问。

突破 - 2016年5月之前的Paris中的IEEE - SAW IBM展示了三级单元（TLC）PCM。这是PCM具有每个单元格的八个电阻水平，在每个单元格中给出三个1/0位状态。

IBM CELLOS Evangelos Eleftheriou表示PCM提供200至300纳秒的读时间，2μs至4μs。闪存存储读数当前以数百μs测量，而写入较近毫秒。

Eleftheriou还表示PCM可以提供耐力，即闪光灯10,000次。

闪存也必须在一次（称为页面）时写入整个单元块并且必须在写入之前擦除单元格。这称为程序擦除周期，是闪光灯的关键问题。相比之下，PCM可以简单地覆盖单元格。

DRAM用于主板内存的速度比闪存更快，但是易失利 - 它不会在关闭时保留数据，因为ECAMPLE - 并且对于批量存储使用太昂贵。

PCM由锗，锑和碲的合金制成，当电压施加电压时，改变状态。PCM的关键状态变化是结晶或无定形的。

超越两个州的努力 - 因此，每种细胞的更多位 - 已经基于在结晶和非晶之间创建状态，但是已经难以确保在记忆中写入的晶体状态随时间一致并且因此可读。

但IBM通过读取不同材料状态而不是状态本身的相对阻力来解决这个问题。这使得每种细胞最多八个州。

那么，PCM何时在企业系统中首次亮相以及在哪里？

“我们拥有IP，我们可以向制造商许可。从技术角度来看，我们解决了问题。没有更多的障碍，现在可以为市场准备好，“Eleftheriou说。

他说，由于成本，PCM可能在需要更好的性能的系统中占据一层，例如元数据或内存数据库使用的更快存储层或更低的成本扩展到基于DRAM的内存。