即将到来,更快的固态存储技术将为IT硬件架构带来更改,并强制重写软件以利用它们。
Intel / Micron的3D XPoint和HPE的Memristor等技术比目前的NAND Flash的第1,000倍速度更快 - 将用作缓存内存。这意味着它们将驻留在RAM和闪存存储之间,并且通过将需要重写的应用程序在字节级别访问,以便他们现在访问后端存储。
这些是NetApp的CTO办公室办公室和稳健国家存储倡议联合主席(SNIA)的亚历克斯麦当劳的观点。
“我们正在谈论两个奥运会,所以七年或八年,直到商业产品可用,”他说。
“我们所谈论的是”持久的记忆“,1,000倍慢于DRAM,但比闪存更快1,000倍,又比旋转磁盘快1,000倍。”
麦当劳表示,在目前经常出售的Flash,以模仿传统硬盘驱动器的形式因素,并且需要通过SCSI软件堆栈进行存储,不适合这些即将到来的持久存储器技术。
“你投入了SSD及其软件堆栈,找到SCSI通信占用了计算时间的微秒,”他说。“所以,如果软件堆栈占延迟的一半,则需要摆脱它,但您不能使用SSD技术。”
持久存储器将是字节寻址 - 例如,作为内存能够仅在数据库记录中表示字符的位 - 而不是必须通过I / O软件堆栈来解决千字节大小的块。
此外,目前,操作系统使用上下文切换,以便在任务之间移动,因为一个任务在I / O中与存储器啮合。但是,如果将足够的持久存储器移动到上面的存储层,并且对于纳秒的延迟,则不需要上下文切换。
对于所有这些原因,需要重写应用程序和操作系统以处理新架构,表示麦当劳。但他补充说,持续的内存需要用作缓存,附近CPU,因为“超过几英尺远的开始放置严重的延迟限制”。
Snia和NetApp Man表示,未来的数据中心,例如,50PB将包括5PB的闪光灯和0.5pb在分层架构中的持续内存,包括DRAM,持久存储器,闪光灯,旋转磁盘和冰川/胶带。
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